ترانزیستور C945

توضیحات

معرفی ترانزیستور C945

ترانزیستورC945، یک ترانزیستور BJT از نوع NPN که دارای مقدار بهره 70 تا 400 است، هنگامی که این ترانزیستور به طور کامل بایاس شود، می‌تواند حداکثر جریان 150 میلی آمپر در کلکتور و امیتر برقرار شود. علاوه بر آن ولتاژ در کل کلکتور-امیتر (VCE) یا Base-Emitter (VBE) می تواند به ترتیب 200 و 900 میلی ولت باشد. هنگامی که جریان بیس حذف می شود، ترانزیستور کاملاً خاموش می شود، این مرحله به عنوان منطقه قطع نیز نامیده می‌شود و ولتاژ امیتر پایه می‌تواند حدود 660 میلی ولت باشد.

مشخصات C945

پیکربندی ترانزیستور : NPN
نوع ترانزیستور : BJTs – Bipolar
داکثر جریان کلکتور (Ic): 150mA
حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcbo): 60V
حداکثر ولتاژ کلکتور-اِمیتر (Vceo): 50V
حداکثر ولتاژ اِمیتر-بیس (Vbe): 5V
فرکانس کاری : 300 مگاهرتز
ضریب تقویت جریان – بهره (hFE): حداقل 70 و حداکثر 400 (متناسب با شرایط)
حداقل و حداکثر دمای : 65- الی 150+ درجه سانتی گراد
پکیج : TO-92

کاربرد C945

تقویت کننده سیگنال
کلید الکترونیکی
مبدل سیگنال
تقویت کننده‌های آمپلی‌فایر
مدارهای تایمر
مدارهای تشدید و غیره

ترتیب پایه های C945

پایه Base: این پایه به عنوان پایه کنترلی برای جریان بین کلکتور(Collector) و امیتر(Emitter) استفاده می‌شود.
پایه Collector: این پایه به عنوان پایه جمع کننده جریان از بین پایه بیس(Base) و امیتر(Emitter) استفاده می‌شود.
پایه Emitter: این پایه به عنوان پایه خروجی جریان از ترانزیستور عمل می‌کند.

Specification C945

P/N: C945 / F945
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-92-3
Transistor Polarity: NPN
Configuration: Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 150 mV
Maximum DC Collector Current: 150 mA
Pd – Power Dissipation: 250 mW
Gain Bandwidth Product fT: 300 MHz
Minimum Operating Temperature: –
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Continuous Collector Current: 150 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 40
DC Current Gain hFE Max: 700

جهت مشاهده دیتاشیت ترانزیستور C945 کلیک نمایید.